テラスカイグループのQuemixなど4者、シリコン中の水素による自由電子生成機構を世界初解明
■水素注入の謎に理論的解答、パワー半導体効率化へ前進 テラスカイ<3915>(東証プライム)は1月14日、グループ会社のQuemixと三菱電機<6503>(東証プライム)、国立大学法人東京科学大学、国立大学法人筑波大学の4者が、シリコンに注入した水素が特定の欠陥と結合することで自由電子を生成するメカニズムを世界で初めて解明したと発表した。長年原理が不明だった現象を理論的に説明した成果であり、パワー半導体の高効率化に道を開くものとなる。 研究の意義として、IGBTにおける電子濃..